长鑫科技拟投 349 亿元：建技术研发项目与存储器测试基地二期

长鑫科技（CXMT）9 月 28 日晚公告，拟动用部分超募资金投入两个项目：241 亿元建设技术研发项目，工期 30 个月，其中 130 亿元直接来自超募资金；108 亿元建设合肥存储器晶圆后道测试基地二期，工期 37 个月，通过向全资子公司长鑫存储产品（合肥）增资 50 亿元加贷款实施。公告把理由说得很直白：测试是 DRAM 的关键环节且设备专用，自建产能可以摆脱代工瓶颈、降低成本、强化 IDM 模式。

事实部分

• 技术研发项目：总投资 241 亿元，建设期 30 个月，其中 130 亿元来自超募资金。
• 测试基地二期：总投资 108 亿元，建设期 37 个月；向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司增资 50 亿元，其余贷款，建设 DRAM 芯片测试与模组组装工厂。
• 资金来源：均为 IPO 超募资金的一部分。
• 背景：长鑫是中国最主要的 DRAM 厂商；把后道测试收回自建是它巩固 IDM 一体化模式的一步。

编辑判断

把测试环节从外包改自建，短看是降本，长看是把 DRAM 的质量与良率数据握在自己手里——这对 AI 服务器拉动的高带宽内存生意尤其重要。全球存储市场正被 HBM 与 AI 需求重排座次，中国厂商的每一步产能动作都值得放进供应链模型里。和此前 中国拟放行 RTX Pro 5500 采购 的报道放在一起看，算力供给的两条线（自产存储、进口 GPU）在同步松动。